Toshiba: Serial Interface NAND

Serial Interface NAND - серия устройств флэш-памяти SLC NAND 24 нм для встраиваемых решений совместимых с широко используемым последовательным периферийным интерфейсом (SPI) от компании Toshiba.

2019: Второе поколение решений Serial Interface NAND емкостью до 8 Гбит

26 сентября 2019 года компания Toshiba Memory Europe представила второе поколение флэш-памяти NAND для встраиваемых решений, которое отличается повышенной ёмкостью и производительностью. Благодаря высокой скорости передачи данных продукты Serial Interface NAND совместимы с интерфейсом SPI и подходят для применения в широком спектре потребительских, промышленных и коммуникационных решений. Отгрузка тестовых образцов микросхем началась с сентября 2019 года, а массовое производство запланировано на октябрь 2019 года.

В Toshiba Memory Europe отметили, что по мере того, как уменьшаются габариты устройств интернета вещей и сферы коммуникаций, растёт спрос на флэш-память в миниатюрных корпусах с малым количеством контактов, которая может обеспечить высокую скорость чтения и записи данных. Благодаря совместимости с широко распространённым интерфейсом SPI, продукты линейки Serial Interface NAND могут использоваться в качестве флэш-памяти SLC NAND с малым количеством контактов и отличаются высокой ёмкостью и компактными размерами.

Со слов производителя, чтобы обеспечить высокую скорость передачи данных, продукты Serial Interface NAND второго поколения отличаются увеличенной (по сравнению с первым поколением) производительностью, включая поддержку рабочей частоты 133 МГц и режима program x4. Помимо этого, чтобы удовлетворить спрос на большие объёмы памяти, в представленную линейку входит решение ёмкостью 8 Гбит (1 ГБ). Все микросхемы выпускаются в 8-контактных корпусах типоразмера WSON габаритами 6 x 8 мм.Обзор российского рынка банковской цифровизации: импортозамещение, искусственный интеллект и собственные экосистемы 6.4 т

Основные особенности, отмеченные производителем:

• Ёмкость 1 – 8 Гбит
• Размеры страницы памяти 2 Кбит (1/2 Гбит) и 4 Кбит (4/8 Gb) для более эффективного чтения/записи данных ОС
• Режимы x4 Program и Read для повышения скорости доступа и производительности при программировании
• Поддержка ECC и защиты данных выявляет инвертирование разрядов и обеспечивает защиту выделенных блоков
• Функция Parameter Page для получения подробных данных об устройстве.

«Сложность встраиваемых устройств и требования к их габаритам постоянно растут, поэтому разработчикам требуются гибкость и производительность, которые может обеспечить флэш-память Serial Interface NAND», отметил Аксель Стоерманн (Axel Stoermann), вице-президент Toshiba Memory Europe

2015: SLC NAND 24 нм

21 октября 2015 года компания Toshiba Electronics Europe представила серию устройств флэш-памяти SLC NAND 24 нм. Среди устройств, использующих флэш-память NAND с последовательным интерфейсом:

• бытовая электроника,
• телевизоры с плоскими экранами,
• принтеры,
• носимые устройства,
• изделия для промышленности, в том числе промышленные роботы.

Serial Interface NAND (2015)

В составе серии устройства с плотностью данных 1 Гбит, 2 Гбит и 4 Гбит, выполненные в корпусах SOP (10,3 мм x 7,5 мм) или WSON (6,0 мм x 8,0 мм). Для всех сочетаний корпусов и плотности данных выпускаются устройства с номиналом входного напряжения 1,8 или 3,3 В.

Функции высокоскоростного последовательного чтения, встроенный код коррекции ошибок (ECC) с функцией сообщения об инвертировании разряда, встроенные средства защиты данных - обеспечивают быстрый доступ к данным, их надежное и безопасное хранение.

Последовательный периферийный интерфейс позволяет управлять устройствами, используя шесть выводов, предоставляя пользователям доступ к флэш-памяти SLC NAND большой емкости с малым количеством выводов в миниатюрном корпусе. Память NAND с последовательным интерфейсом обладает значительно меньшей стоимостью на один бит в сравнении с решениями на основе флэш-памяти NOR, традиционно используемыми для встраиваемых систем.

Для удовлетворения растущих требований заказчиков к функциональности встраиваемых устройств требуется увеличение плотности хранения данных. Это приводит к росту спроса на устройства памяти высокой емкости для хранения программного обеспечения (в том числе загрузочных программ, микропрограммного обеспечения и встроенных ОС) и данных (включая данные журналов), поэтому разработчики устройств переходят на использование флеш-памяти SLC NAND, обладающей высокой плотностью хранения данных и высокой надежностью.

С учетом диапазона рабочих температур от -40 до +85 °C устройства могут использоваться в подавляющем большинстве бытовых и промышленных встраиваемых решений. Поставки ознакомительных образцов устройств в корпусах WSON и SOP начнутся в октябре 2015 года, а начало серийного производства запланировано на декабрь 2015 года.