Toshiba DF series

DFxxxxxxx - линейка TVS-диодов для высокоскоростных интерфейсов.

2018: DF2B7ASL

Компания Toshiba Electronics Europe представила симметричный диод DF2B7ASL для защиты от электростатических разрядов (ESD), предназначенный главным образом для защиты интерфейсов в устройствах, требующих минимальной площади монтажа.

Сверхкомпактный симметричный диод DF2B7ASL

DF2B7ASL обладает характеристикой диода с накоплением заряда и может обеспечивать низкие напряжения ограничения, что в сочетании с низким динамическим сопротивлением диода позволяет добиться высокой эффективности защиты полупроводниковых ИС от статического электричества, утверждают в Toshiba. Диод выпускается в сверхкомпактном корпусе и предназначен для систем, требующих минимальной площади монтажа, включая интерфейсы смартфонов, носимых устройств и приборов с автономным питанием.

Низкое динамическое сопротивление, всего 0,2 Ом, и низкое напряжение ограничения VC, всего 11 В при уровне сигнала 5 В (VRWM ≤ 5,5 В), сочетаются в диоде DF2B7ASL с максимальным напряжением электростатического разряда ±30 кВ в соответствии с требованиями IEC61000-4-2 (контактный разряд).Как DevOps-сервис помогает «разгрузить» высоконагруженные системы BPMSoft 2.1 т

В целях снижения требуемой площади для монтажа диоды Toshiba выпускаются в корпусе SOD-962 (SL2), для монтажа которого на плате требуется площадь размером всего 0,32 мм x 0,62 мм.

2016: DF2B5M4SL, DF2B6M4SL, DF10G5M4N и DF10G6M4N

12 сентября 2016 года компания Toshiba представила TVS-диоды DF2B5M4SL, DF2B6M4SL, DF10G5M4N и DF10G6M4N, предназначенные для защиты высокоскоростных интерфейсов.

Рост объемов трафика данных, связанный с распространением смартфонов, портативных устройств, систем виртуальной реальности и устройств Интернета вещей (IoT), связан с использованием большого числа высокоскоростных интерфейсов, которым требуется защита от электростатических разрядов (ESD).

Диод DF2B5M4SL в корпусе, (2016)

Для решения этой задачи компания Toshiba Electronics Europe выпустила диоды для защиты от электростатических разрядов на основе технологического процесса для производства матриц защитных диодов (EAP-IV) 4-го поколения, в котором используется собственная технология изготовления диодов с накоплением заряда.

DF2B5M4SL, DF2B6M4SL, DF10G5M4N и DF10G6M4N обеспечивают защиту высокоскоростных интерфейсов, в том числе в системах с интерфейсами USB 3.1. Различные рабочие напряжения (3,6 и 5,5 В) и корпуса (SOD962 и DFN10) обеспечивают гибкость при реализации защиты от электростатических разрядов в различных проектах.

Посредством технологического процесса компании Toshiba эти четыре устройства сочетают низкую емкость, низкое динамическое сопротивление и устойчивость к воздействию электростатических разрядов. Сверхнизкая емкость (0,2 пФ) гарантирует минимальное искажение сигнала при высокоскоростной передаче данных, а типовое динамическое сопротивление RDYN = 0,5 Ом обеспечивает низкие напряжения смещения. Устройства обеспечивают защиту: в соответствии с требованиями IEC61000-4-2 гарантирована защита от электростатических разрядов с напряжением не менее ±20 кВ.

Устройства DF2BxM4SL предназначены специально для монтажа на платах с высокой плотностью компонентов, поскольку корпус SOD-962 требует пространства размером всего 0,62 мм x 0,32 мм и может размещаться рядом с ИС, требующими защиты от электростатических разрядов.

Для устройств типа DF10GxM4N корпус DFN10 может размещаться сверху 4-разрядной шины. Такая сквозная конструкция помогает упростить разводку шин на печатных платах, поскольку не требуются дополнительные отводы для подключения отдельных TVS-диодов.